MUR1220CT PDF Datasheet
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Description
This is Fast recovery diode. 江 新 微 子有限公司分立器件芯片
文件 版 本
XS-R-143 13-A3-09 1, 3
W1XK008D
快恢 二 管
1 主要用途及主要特点 1.1 主要用途
用 W1XK008D 封 的成品管用于低 路上 高 逆 器上。
1.2 主要特点
● ● ●
高速 低功耗 高可 性 芯片尺寸（mm×mm） 芯片厚度（ m） 片道 尺寸（ m） 2 合 面 ( m ) 正面 正面 （ ） 背面 （ ） 硅片直 （mm） 片要求（推 ） 合要求（推 ） 金 厚度（ m） 表 金
*
2 芯片 据
芯片示意 1.75×1.15 220±20 40 1000×500 7.5±1.0 φ125 料 AL ；φ250μm； 根
* 片道位置示意 ：
3 特性(在推 的封 形式、适 的封 件下) 3.1 限
除非 有 定，Tamb= 25℃ 名 符 峰 反向 正向 流 存 度 VRM IF(AV) Tj Tstg 定 200 6（ 芯） 150 -40～150 位 V A A ℃ ℃ 注 推 封 形式：TO-220 推 成品型 ： MUR1220CT
江 新 微 子有限公司
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江 新 微 子有限公司分立器件芯片
文件 版 本
XS-R-143 13-A3-09 2, 3
W1XK008D
快恢 二 管
3.2
除非 有 定，Tamb= 25℃ 名 穿 反向 流 正向 反向恢 容 符 VBR IR VF Trr Ctot 件 IR=100μA VR=200V IF=6A IF=0.5A, IR=1.0A,Irr＝0.25A VR=0V，f=1MHz
范 最小 200 － － － － 典型 － 0.01 0.93 24 100 最大 － 1 0.975 35 －
位 V μA V ns pF
3.3 典.