CS2N60F PDF Datasheet
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Description
This is VDMOS Transistor. 晶分立器件
CS2N60(F)
CS2N60(F)型 VDMOS 晶 管
1. 述 特点
CS2N60(F)是 N 道 600V 系列 VDMOS 晶 管，主要用于 源适配器、充 器等各 功率 路。 具有如下特点： ● 速度快 ● 通 阻小 ● 可 使用 ● 封 形式： 品名 CS2N60 CS2N60F 封 形式 TO-220 TO-220F VDSS 600V RDS(ON)MAX
4.6Ω
ID 2.1A
2. 特性
2.1 限 （除非 有 定，TC=25℃） 名 符 漏源反向 漏 流( ) 漏 流( ) 源反向 能量 阻（ 到 ） 阻（ 到 境） 耗散功率 最高 存 度 2.2 （除非 有 定，TC=25℃） 2.2.1 截止特性 名
漏源反向 反向 的 度系 漏源截止 流 源截止 流
CS4N60 600 2.1 8.4 ±30 84 2.3 62.5 54 150
CS4N60F
位 V A V mJ
VDSS ID IDM VGS EAS RθJC RθJA PD TJ TSTG
5.5 62.5 23 -55～150
℃, W W ℃
符
BVDSS BVDSS, TJ IDSS IGSS
件
VGS=0V, ID=250 A ID = 250 A VDS = 600V, VGS= 0V, TJ = 25℃ VDS = 480V, VGS = 0V, TJ = 125℃ VGS = ±30V
范 最小 典型 最大
600 0.7 25 250 ±100
位
V V, ℃ A nA
晶分立器件
CS2N60(F)
2.2.2 特性 名
通 阻 跨
符
RDS(ON) VGS(TH) gfs
件
VGS=10V,ID=1.3A VDS = VGS, ID = 250 A VDS=15V, ID = 1.3A
范 最小 典型 最大
4.6 2.0 1.4 4.0
位
Ω V S
tp≤380 s,δ≤2%
2.2.3 .