3DD2498 PDF Datasheet
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Description
This is NPN Transistor.
晶分立器件
3DD2498
低 放大管 定 型晶 管
1. 述 特点
3DD2498 硅 NPN 型高反 大功率晶 管, 主要用作 21 英寸彩 源， 品采用台面 工 。其特点如下： ● 穿 高、漏 流小 ● 速度快 ● 和 降低 ● 流特性好 ● 封 形式：TO-3P(H)IS
2. 特性
2.1 限 除非 有 定，Tamb= 25℃ 名 符 集 - 射 VCE0 集 -基 VCB0 射 -基 VEB0 集 流 IC Ta=25℃ 耗散功率 Ptot Tc=25℃ Tj 存 度 Tstg 2.2 除非 有 定，Tamb= 25℃ 名 集 -基 截止 流 射 -基 截止 流 共 射 正向 流 比 的 集 - 射 和 基 - 射 和 下降 特征 率 符 ICB0 IEB0 hFEa VCEsata VBEsata tf fT 件 VCB=1500V, IE=0 VEB=5V, IC=0 VCE=5V, IC=1A IC=4A, IB=0.8A IC=4A, IB=0.8A VCC=105V, IC=4A 2IB1=-IB2=0.8A VCE=10V, IC=0.1A f=0.3MHz
B B
定 600 1500 5 6 3 50 150 -55～150
位 V V V A W ℃ ℃
范 最小 典型 最大 1 10 8 40 5 1.2 1 1
位 mA μA
V V μs MHz
a: tp≤300μs,δ≤2%
无 晶微 子有限公司
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第 1 共 2
晶分立器件
3DD2498
3. 特性曲
安全工作 (直流)
IC (A)
Tcase=25℃
Ptot - T 系曲
Ptot (W) 40
Ptot-Tc.